Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. produkty Created with Pixso.
Moduł IGBT
Created with Pixso.

Moduł IGBT o niskim zasilanie VCE i niskim zasilanie prądu krótkiego obwodu KUG100H12S4

Moduł IGBT o niskim zasilanie VCE i niskim zasilanie prądu krótkiego obwodu KUG100H12S4

Nazwa marki: Krunter
Numer modelu: KUG100H12S4L
Szczegółowe informacje
Place of Origin:
China
Technology:
Si
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.5V
Collector-Emitter Capacitance:
100pF
Installation Style:
SMD/SMT
Product:
Diode Power Modules
Manufacturer:
PRX
Warranty:
365days
Power Dissipation:
500W
Subcategory:
Interface ICs
Lead Times:
Immediately Shipment
Voltage Rating:
1200V
Dimensions:
106.4*61.4*30.5mm
Moisture Sensitive:
YES
Podkreślić:

Moduł prądu IGBT z zwarciem

,

Moduł IGBT o niskim VCE

,

Moduł IGBT o niskiej stratzie przełączania

Opis produktu
  • Niskie VCE (sat)

  • Prąd krótkoobiegu 10 μs

  • Niskie straty w przypadku zmiany

  • Pozytywny współczynnik temperatury VCE (sat)

  • Diody bezkołowe z bardzo niskim spadkiem naprzód napięcia i miękkim odzyskiwaniem

  • Przemysłowy pakiet standardowy z miedzianą płytką podłoża

Diagram obwodu wewnętrznego

Moduł IGBT o niskim zasilanie VCE i niskim zasilanie prądu krótkiego obwodu KUG100H12S4 0

Parametry specyfikacji

TYPU VCES VGES IC VCE(SAT) (EON+EOFF) TJ Ptot Obwód Pakiet Technologia
Woltów Woltów Ampery Woltów mJ Watty
KUG40H12S4L 1200 V ± 20 40A 2.80V 7.2mJ 150°C 250 W 2 opakowania 34 mm NPT
KUG50H12S4L 1200 V ± 20 50A 2.80V 7.2mJ 150°C 285W 2 opakowania
KUG75H12S4L 1200 V ± 20 75A 2.80V 100,6 mJ 150°C 395W 2 opakowania
KUG100H12S4L 1200 V ± 20 100A 3.10V 130,4 mJ 150°C 555W 2 opakowania
KUG150H12S4L 1200 V ± 20 150A 2.80V 170,0 mJ 150°C 790W 2 opakowania
KUG40H12E4L 1200 V ± 20 40A 2.10V 80,8 mJ 175°C 250 W 2 opakowania Węgiel FS
KUG50H12E4L 1200 V ± 30 50A 1.65V 100,1 mJ 175°C 285W 2 opakowania
KUG75H12E4L 1200 V ± 30 75A 1.65V 180,0 mJ 175°C 395W 2 opakowania
KUG100H12E4L 1200 V ± 30 100A 1.65V 240,8 mJ 175°C 555W 2 opakowania
KUG40H12W4L 1200 V ± 20 40A 2.10V 80,4 mJ 175°C 250 W 2 opakowania Rzeźba
szybko
KUG50H12W4L 1200 V ± 20 50A 2.25V 90,4 mJ 175°C 285W 2 opakowania
KUG75H12W4L 1200 V ± 20 75A 2.00V 140,0 mJ 175°C 395W 2 opakowania
KUG100H12W4L 1200 V ± 20 100A 1.90V 190,5 mJ 175°C 555W 2 opakowania
KUG150H12W4L 1200 V ± 20 150A 1.90V 270,8 mJ 175°C 790W 2 opakowania

Moduł IGBT o niskim zasilanie VCE i niskim zasilanie prądu krótkiego obwodu KUG100H12S4 1