szczegółowe informacje o produktach

Do domu produkty

KHG75H12E4L Moduł IGBT 8MHz Wysokonapięciowy Wysokofrekwencyjna dystrybucja energii w przemyśle

KHG75H12E4L Moduł IGBT 8MHz Wysokonapięciowy Wysokofrekwencyjna dystrybucja energii w przemyśle

Nazwa marki:	Krunter
Numer modelu:	KHG75H12E4L
MOQ:	1
Ceny:	negocjowalne
Warunki płatności:	negocjowalne
Zdolność do zaopatrzenia:	negocjowalne

Szczegółowe informacje

Opis produktu

Szczegółowe informacje

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Product:

IGBT Module

Output Type:

Rail to Rail

Date Code:

Newest code

Maximum Clock Frequency:

8 MHz

Maximum Junction Temperature:

175°C

Input Voltage Range:

4.5 V to 18 V

Warranty:

365days

Stock:

100PCS

Operating Temperature:

-40 to +125

Configuration:

6-Pack

Maximum Collector Current:

Factory Packing Quantity:

Moisture Sensitive:

Collector-Emitter Saturation Voltage:

Feature:

High current

Szczegóły pakowania:

Standardowe pakowanie

Możliwość Supply:

negocjowalne

Podkreślić:

Moduł IGBT KHG75H12E4L

Moduł 8MHz IGBT

Moduł zasilania igbt o wysokiej częstotliwości

Opis produktu

Moduł IGBT KHG75H12E4L do dystrybucji energii wysokonapięciowej i wysokiej częstotliwości w przemysłu

KHG75H12E4L

Technologia NPT IGBT
Zdolność do zwarcia 10 μs
Niskie straty przełączania
VCE ((sat) z dodatnim współczynnikiem temperatury
Kwadrat RBSOA
Obudowa o niskiej indukcji
Szybkie i miękkie odzyskiwanie odwrotne anty równoległe FWD
Izolowana płytka miedziana z wykorzystaniem technologii DBC

Zastosowanie	Diagram obwodu wewnętrznego
Maszyny spawalnicze Inwertery Ogrzewanie indukcyjne Maszyny do cięcia plazmy

Parametry specyfikacji

TYPU	VCES Woltów	VGES Woltów	IC Ampery	VCE(SAT) Woltów	(EON+EOFF) mJ	TJ	Ptot Watty	Obwód	Pakiet	Technologia

KWG50F12E4T	1200 V	± 20	50A	2.90V	60,9 mJ	150°C	408	4 opakowanie	62 mm ((T)	NPT
KWG75F12E4T	1200 V	± 20	75A	2.90V	110,8 mJ	150°C	595	4 opakowanie		NPT

KHG75H12E4L Moduł IGBT 8MHz Wysokonapięciowy Wysokofrekwencyjna dystrybucja energii w przemyśle 2

Znaków:

Obróbka CNC

BGA Test Socket Housing Machining

Zakładka badawcza

Układ badawczy nośnika azimutów

Dostosowany gniazdek testowy

Układ badawczy Loranger

Formowanie wtryskowe

Odlewanie

Wstrzyknięcie

Materiał z tworzywa sztucznego

element elektroniczny

Elektroliza ołowiu

Kondensator elektrolizowy w kształcie rogu

Kondensator elektrolityczny na powierzchni

Elektrolizator tlenku stałego

szpilka

PIN POGO

Sondy

Zgięcie PIN

Pin zbiornika

Moduł IGBT

Mini mikroskop

Obróbka CNC

BGA Test Socket Housing Machining

Zakładka badawcza

Układ badawczy nośnika azimutów

Dostosowany gniazdek testowy

Układ badawczy Loranger

Formowanie wtryskowe

Odlewanie

Wstrzyknięcie

Materiał z tworzywa sztucznego

element elektroniczny

Elektroliza ołowiu

Kondensator elektrolizowy w kształcie rogu

Kondensator elektrolityczny na powierzchni

Elektrolizator tlenku stałego

szpilka

PIN POGO

Sondy

Zgięcie PIN

Pin zbiornika

Moduł IGBT

Mini mikroskop

szczegółowe informacje o produktach

KHG75H12E4L Moduł IGBT 8MHz Wysokonapięciowy Wysokofrekwencyjna dystrybucja energii w przemyśle

KHG75H12E4L Moduł IGBT 8MHz Wysokonapięciowy Wysokofrekwencyjna dystrybucja energii w przemyśle

Moduł IGBT KHG75H12E4L

Moduł 8MHz IGBT

Moduł zasilania igbt o wysokiej częstotliwości

KHG75H12E4L

Zastosowanie

Diagram obwodu wewnętrznego

Parametry specyfikacji