Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
zacytować
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
Do domu
O nas
Profil przedsiębiorstwa
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Często zadawane pytania
produkty

Obróbka CNC

BGA Test Socket Housing Machining

Zakładka badawcza

Układ badawczy nośnika azimutów

Dostosowany gniazdek testowy

Układ badawczy Loranger

Formowanie wtryskowe

Odlewanie

Wstrzyknięcie

Materiał z tworzywa sztucznego

element elektroniczny

Elektroliza ołowiu

Kondensator elektrolizowy w kształcie rogu

Kondensator elektrolityczny na powierzchni

Elektrolizator tlenku stałego

Diody

Diody Zenera

Diody przełączające

Diody Schottky'ego

Diody prostowników

Diody szybkiego odzyskiwania

Tranzystory

Tranzystory

Tranzystory cyfrowe

Mosfets

Niski napięcie Mos

Średnie napięcie Mos

Chłodny napięcie Mos

Esd

Sic

szpilka

PIN POGO

Sondy

Zgięcie PIN

Pin zbiornika

Moduł IGBT

Mini mikroskop
Blogi
rozwiązania
Wideo
Skontaktuj się z nami
zacytować
Do domu
O nas
Profil przedsiębiorstwa
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
Często zadawane pytania
produkty

Obróbka CNC

BGA Test Socket Housing Machining

Zakładka badawcza

Układ badawczy nośnika azimutów

Dostosowany gniazdek testowy

Układ badawczy Loranger

Formowanie wtryskowe

Odlewanie

Wstrzyknięcie

Materiał z tworzywa sztucznego

element elektroniczny

Elektroliza ołowiu

Kondensator elektrolizowy w kształcie rogu

Kondensator elektrolityczny na powierzchni

Elektrolizator tlenku stałego

Diody

Diody Zenera

Diody przełączające

Diody Schottky'ego

Diody prostowników

Diody szybkiego odzyskiwania

Tranzystory

Tranzystory

Tranzystory cyfrowe

Mosfets

Niski napięcie Mos

Średnie napięcie Mos

Chłodny napięcie Mos

Esd

Sic

szpilka

PIN POGO

Sondy

Zgięcie PIN

Pin zbiornika

Moduł IGBT

Mini mikroskop
Blogi
rozwiązania
Wideo
Skontaktuj się z nami
zacytować

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. produkty Created with Pixso.
Moduł IGBT
Created with Pixso.

Niski poziom VCE Sat Moduł IGBT Niskie straty

Nazwa

Niski poziom VCE Sat Moduł IGBT Niskie straty

Nazwa marki: Krunter
Numer modelu: KUG100H12S4L
Szczegółowe informacje
Opis produktu
Szczegółowe informacje
Place of Origin:
China
technologia:
SI
Napięcie nasycenia kolektor-emiter:
1,5 V
Pojemność kolektor-emiter:
100pF
Styl instalacji:
SMD/SMT
Produkt:
Diodowe moduły mocy
Producent:
PRX
Gwarancja:
365 dni
rozpraszanie mocy:
500 W
Podkategoria:
Układy scalone interfejsów
Czasy realizacji:
Natychmiastowa wysyłka
Napięcie znamionowe:
1200 V
Wymiary:
106,4*61,4*30,5 mm
Wrażliwy na wilgoć:
Tak
Podkreślić:

Moduł prądu IGBT z zwarciem

,

Moduł IGBT o niskim VCE

,

Moduł IGBT o niskiej stratzie przełączania

Opis produktu

  • Moduł IGBT o niskim VCE sat i prądzie zwarciowym oraz niskich stratach przełączania KUG100H12S4L

  •  

  • Niski VCE(sat)

  • 10μs Prąd zwarciowy

  • Niskie straty przełączania

  • Dodatni współczynnik temperaturowy VCE(sat)

  • Diody wolnobieżne z bardzo niskim spadkiem napięcia przewodzenia i miękkim powrotem

  • Standardowa obudowa przemysłowa z miedzianą płytą podstawy

Schemat obwodu wewnętrznego

Niski poziom VCE Sat Moduł IGBT Niskie straty 0

Parametry specyfikacji

TYP VCES VGES IC VCE(SAT) (EON+EOFF) TJ Ptot Obwód Obudowa Technologia
Woltów Woltów Amperów Woltów mJ Watów
KUG40H12S4L 1200V  ± 20 40A 2.80V 7.2mJ 150℃ 250W 2 Pack 34mm NPT
KUG50H12S4L 1200V  ± 20 50A 2.80V 7.2mJ 150℃ 285W 2 Pack
KUG75H12S4L 1200V  ± 20 75A 2.80V 10.6mJ 150℃ 395W 2 Pack
KUG100H12S4L 1200V  ± 20 100A 3.10V 13.4mJ 150℃ 555W 2 Pack
KUG150H12S4L 1200V  ± 20 150A 2.80V 17.0mJ 150℃ 790W 2 Pack
KUG40H12E4L 1200V  ± 20 40A 2.10V 8.8mJ 175℃ 250W 2 Pack Trench FS
KUG50H12E4L 1200V  ± 30 50A 1.65V 10.1mJ 175℃ 285W 2 Pack
KUG75H12E4L 1200V  ± 30 75A 1.65V 18.0mJ 175℃ 395W 2 Pack
KUG100H12E4L 1200V  ± 30 100A 1.65V 24.8mJ 175℃ 555W 2 Pack
KUG40H12W4L 1200V  ± 20 40A 2.10V 8.4mJ 175℃ 250W 2 Pack Trench
szybki
KUG50H12W4L 1200V  ± 20 50A 2.25V 9.4mJ 175℃ 285W 2 Pack
KUG75H12W4L 1200V  ± 20 75A 2.00V 14.0mJ 175℃ 395W 2 Pack
KUG100H12W4L 1200V  ± 20 100A 1.90V 19.5mJ 175℃ 555W 2 Pack
KUG150H12W4L 1200V  ± 20 150A 1.90V 27.8mJ 175℃ 790W 2 Pack

Niski poziom VCE Sat Moduł IGBT Niskie straty 1

 

 

Znaków: 

MODUŁ TRANZYSTOROWY  

Moduł IGBT  

Moduł mocy IGBT

ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Moduł IGBT z płyty miedzianej Trwałość rozpraszania ciepła w standardowym opakowaniu przemysłowym

Moduł IGBT z płyty miedzianej Trwałość rozpraszania ciepła w standardowym opakowaniu przemysłowym

Najlepszą cenę
Moduł przemysłowy IGBT KWG600H12N4B Płytka miedziana Igbt Moduł

Moduł przemysłowy IGBT KWG600H12N4B Płytka miedziana Igbt Moduł

Najlepszą cenę
KPP1500H12D3E4 Moduł IGBT Kontrola zasilania 48 szpilki Rozwiązanie dla biznesu

KPP1500H12D3E4 Moduł IGBT Kontrola zasilania 48 szpilki Rozwiązanie dla biznesu

Najlepszą cenę
62mm 50A Kontroler EPM Moduł zasilania IGBT 1 PACK KEG900H600E4L

62mm 50A Kontroler EPM Moduł zasilania IGBT 1 PACK KEG900H600E4L

Najlepszą cenę
KHG75H12E4L Moduł IGBT 8MHz Wysokonapięciowy Wysokofrekwencyjna dystrybucja energii w przemyśle

KHG75H12E4L Moduł IGBT 8MHz Wysokonapięciowy Wysokofrekwencyjna dystrybucja energii w przemyśle

Najlepszą cenę